Oxide-nitride heteroepitaxy for low-loss dielectrics in superconducting quantum circuits
Este trabalho demonstra que a heteroepitaxia de um dielétrico cristalino de -AlO entre camadas de TiN, depositada por laser pulsado, resulta em um material de baixa perda com , estabelecendo uma plataforma promissora para circuitos quânticos supercondutores de alta qualidade.