In-situ operation of amorphous circuits under heavy-ion irradiation
Este estudo demonstra a operação in-situ robusta de um circuito de semicondutor de filme fino amorfo de 100 transistores sob irradiação de íons pesados, executando com sucesso uma sequência de saída "Hello World" sob altos fluxos de partículas e estabelecendo um novo marco para a eletrônica digital tolerante à radiação em ambientes extremos.