Dopability limits in Al-rich AlGaN alloys for far-UVC LEDs
Este estudo revela que a baixa dopabilidade em ligas AlGaN ricas em alumínio, que limita a eficiência dos LEDs de far-UVC, deve-se principalmente à formação de centros compensadores DX negativos por átomos de silício que substituem preferencialmente o gálio minoritário, além de destacar a necessidade de modelagem explícita de ligas e tratamento correto da dependência térmica do gap de energia para alinhar cálculos teóricos com observações experimentais.