Spin-Orbit Coupling Effects on the Structural and Electronic Properties of Planar Pentagonal p-MS (M = Si, Ge, and Pb)
Este estudo emprega a teoria do funcional da densidade para demonstrar que o acoplamento spin-órbita altera significativamente as propriedades estruturais e eletrônicas dos materiais planares pentagonais p-MS (M = Si, Ge, Pb), estabilizando as variantes de Ge e Pb e induzindo uma transição de metal para semicondutor no p-PbS com uma banda proibida de 0,475 eV, sugerindo assim seu potencial para aplicações em sensoriamento de gases.