Dependence of the Mn sticking coefficient on Ga-rich, N-rich, and Ga/N-flux-free conditions in GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Este estudo demonstra que a incorporação de Mn em GaN crescido por MBE assistida por plasma é máxima em condições ricas em nitrogênio, mínima em condições ricas em gálio e intermediária na ausência de fluxo, resultando em coeficientes de adesão relativos de 0,31 e 0,01, respectivamente.