Groove-shaped defects in as-grown (001)-oriented -GaO epilayers prepared by halide vapor phase epitaxy
Este estudo revela que defeitos em forma de sulco em camadas epilaterais de -GaO orientadas em (001) crescidas por epitaxia em fase de vapor de haleto surgem de variações na orientação superficial local e no suprimento de degraus promovendo o crescimento facetado, com defeitos planares associados formando-se como uma consequência da coalescência de setores de crescimento em vez de como sítios de nucleação a partir de dislocações do substrato.