Identifying Contact Barrier Types in Few-Layer MoS2 Devices Using Correlative IV, LBIC, and Bias-Dependent KPFM
Este artigo apresenta uma estrutura experimental integrada combinando IV, LBIC e KPFM dependente de polarização para identificar e caracterizar de forma inequívoca barreiras de contato Schottky versus túnel em dispositivos de MoS2 de poucas camadas, demonstrando que, embora o recozimento térmico reduza a resistência total, as barreiras de contato permanecem como o fator limitante dominante.