Rapid Atmospheric Vapor Deposition of H:In2O3 Transparent Conducting Oxide Thin Films
Este artigo demonstra que a deposição química de vapor por pressão atmosférica (AP-CVD) em temperaturas moderadas (140°C) pode sintetizar rapidamente e de forma econômica filmes de óxido condutor transparente H:In2O3 de alto desempenho, com condutividade e transmitância superiores às normas comerciais, utilizando dopantes de hidrogênio derivados de água para aumentar significativamente a mobilidade dos portadores.