Stacking-dependent thermoelectric transport in layered Sc_2Si_2Te_6 from first principles
Este estudo revela que a sequência de empilhamento (AA, AB ou ABC) em Sc₂Si₂Te₆ em camadas modula significativamente a degenerescência da banda eletrônica e a condutividade térmica da rede, determinando, em última análise, que as estruturas ABC e AB oferecem desempenho termoelétrico superior em comparação com a estrutura AA.