Analogue Phase Change Computational Memory with High Precision Reads and Energy Efficient Writes
Este artigo apresenta uma arquitetura de dispositivo de memória de mudança de fase compacta que supera os compromissos tradicionais ao combinar um volume de comutação ativo ultra-confinado com um filme fino não isolante para alcançar alta precisão computacional (aproximando-se de 6 bits), baixos valores de condutância e escritas energeticamente eficientes usando materiais convencionais.