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Scalable and deterministic construction of moiré superlattice in 2D materials using stressor films

Este artigo demonstra um método escalável e determinístico para a construção de superredes de moiré em materiais 2D usando estressores de filmes finos padronizados para induzir hetero-deformação controlada, permitindo a engenharia de deformações de rede específicas e polarização no plano.

Spin current symmetries generated by GdFeCo ferrimagnet across its magnetisation compensation temperature

First-principles band alignment engineering in polar and nonpolar orientations for wurtzite AlN, GaN, and B$_x$Al$_{1-x}$N alloys

Este estudo emprega métodos computacionais avançados para determinar e analisar os alinhamentos de bandas polares e não polares de ligas de wurtzita B$_x$Al$_{1-x}$N, revelando alinhamentos do tipo I ou II dependentes da composição e efeitos de polaridade de superfície que fornecem diretrizes de projeto críticas para transistores de alta mobilidade eletrônica e dispositivos optoeletrônicos ultravioleta.

Fracture initiation in silicate glasses via a universal shear localization mechanism

Este estudo demonstra que a iniciação de fraturas em vidros de silicato é governada por um mecanismo universal de localização de cisalhamento, desafiando a visão tradicional que enfatiza a densificação volumétrica e alinhando esses materiais com o comportamento de ruptura de vidros metálicos massivos e polímeros amorfos.

Fabry-Perot Interference, g-factor Anisotropy, and Gate-Tunable Quantum dot in Chiral Tellurium Nanowires

Este estudo demonstra que nanofios de telúrio quirais crescidos hidrotermalmente exibem transporte quase-balístico coerente de fase, formação de pontos quânticos ajustáveis por porta e fatores g altamente anisotrópicos, estabelecendo-os como uma plataforma versátil para pesquisa de qubits de spin e modos zero de Majorana.

Synthesis and Characterization of Atomically-Sharp Superconductor-Dielectric Interface

Este artigo apresenta um novo método para o crescimento de camadas de óxido de zircônio altamente cristalinas e estáveis ao ar sobre nióbio que formam interfaces atomicamente nítidas e impedem o regascimento de óxido, oferecendo, assim, um caminho promissor para reduzir defeitos de sistemas de dois níveis e melhorar os tempos de coerência de dispositivos quânticos supercondutores.

Graphlet Histogram Representation Database of Inorganic Crystals

Este artigo apresenta o Graphlet-MP, um banco de dados abrangente e um kit de ferramentas de código aberto que fornece representações de histogramas de graphlets interpretáveis e eficientes em termos de dados para mais de 149.000 cristais inorgânicos para permitir a previsão de propriedades de materiais mesmo com dados experimentais escassos.

Filamentary Transport and Thermoelectric Effects in Mushroom Phase Change Memory Cells

Este estudo utiliza simulações eletrotérmicas de elementos finitos 2D para demonstrar que os efeitos termoelétricos e o transporte filamentar em células de memória de mudança de fase tipo cogumelo de Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ reduzem significamente a energia e a potência de Reset quando a corrente flui do eletrodo superior para o estreito eletrodo inferior, ao mesmo tempo em que revela que o volume de programação é independente das dimensões de contato acima de 10 nm e que contatos maiores trocam o aumento da variabilidade por uma melhor confiabilidade.

Improved selector behavior in ultrathin chromium-doped V$_2$O$_3$ films

Este estudo demonstra que filmes de V$_2$O$_3$ dopados com cromo ultrafinos (até 5 nm) exibem propriedades de seletor aprimoradas, tais como baixa corrente de fuga e transições abruptas, provavelmente devido a uma camada amorfa interfacial e à difusão de Ti do eletrodo que homogeneíza o comportamento das fases cristalina e amorfa.

Electrical Spectroscopy of Intervalley Relaxation in WSe$_2$ Transistors

Este artigo demonstra que a transcondutância de transistores de efeito de campo de WSe$_2$ multicamadas pode servir como um espectrômetro elétrico direto para medir tempos de relaxação entre vales, oferecendo três assinaturas distintas — resposta de frequência lorentziana, transientes de corrente em dois estágios e histerese proporcional à taxa de varredura — que fornecem acesso quantitativo a este parâmetro utilizando instrumentação padrão.