Visualization of defect-induced interband proximity effect at the nanoscale
Utilizando microscopia de tunelamento estocástico em milikelvin em chumbo de limite limpo, este estudo demonstra como defeitos cristalográficos podem ajustar localmente o acoplamento interbanda para transformar o parâmetro de ordem supercondutor de dois gaps distintos para um único gap fundido, proporcionando assim uma rota experimental direta para visualizar e controlar efeitos de proximidade interbanda induzidos por defeitos em supercondutores multibanda.
Thomas Gozlinski, Qili Li, Rolf Heid, Oleg Kurnosikov, Alexander Haas, Ryohei Nemoto, Toyo Kazu Yamada, Joerg Schmalian, Wulf Wulfhekel2026-02-05🔬 cond-mat.mtrl-sci