Fabrication and DC Characterization of BST-Gated AlGaN/GaN MOS-HEMT Structures in Two- and Three-Terminal Configurations
Este estudo fabrica e caracteriza dispositivos AlGaN/GaN MOS-HEMT de microescala com e sem dielétricos de porta BST em configurações de dois e três terminais, relatando métricas de desempenho DC fundamentais, tais como uma tensão de limiar de 0,028 V, uma corrente de condução de aproximadamente 10⁻⁸ A e uma transcondutância máxima de 4,0×10⁻⁶ S.