Investigating ultra-thin 4H-SiC AC-LGADs for superior radiation-hard timing applications
Este estudo demonstra, através de simulações WeightField2, que os diodos de avalanche de baixo ganho (LGAD) de 4H-SiC ultra-finos (20 m) oferecem uma resistência à radiação e uma resolução temporal abaixo de 25 ps superiores em comparação ao silício e ao diamante, tornando-os ideais para ambientes de colisores de alta luminosidade.