Full ab initio atomistic approach for morphology prediction of hetero-integrated crystals: A confrontation with experiments
Este artigo propõe uma abordagem atomística *ab initio* abrangente, baseada em cálculos de primeiros princípios, para prever com sucesso a morfologia de equilíbrio de cristais de GaP heterogeneamente integrados em silício, demonstrando forte concordância com observações experimentais e oferecendo uma ferramenta para a otimização de materiais e dispositivos multifuncionais.