Orientation-controlled area-selective deposition of near-single-grain ruthenium interconnects
Este artigo apresenta uma estratégia de deposição seletiva por área controlada pela orientação que utiliza o crescimento preferencial em um modelo cristalino e a exposição periódica ao ozônio para eliminar núcleos indesejados, permitindo a fabricação de interconexões de rutênio quase de grão único com resistência e variabilidade elétrica significativamente reduzidas em vias em nanoescala.