Symmetry-guided interfacial Ti incorporation in epitaxial Sr-doped HfO2 memristors for energy-efficient analog computing
Este estudo demonstra que a incorporação interfacial de Ti guiada por simetria em HfO₂ epitaxial dopado com Sr estabiliza a fase ferroelétrica e regula o transporte de portadores, permitindo memristores altamente duráveis com 1.104 estados analógicos que alcançam computação em memória de ultra-baixa energia para tarefas como reconstrução de imagem e controle robótico.