Composition-Driven Defect and Interface Engineering in Cu₁₋ₓZnₓFe₂O₄ Nano-Interlayers for High-Performance Cu/p-Si MIS Schottky Ultraviolet Photodiodes
Este estudo demonstra que a engenharia de defeitos e de interface impulsionada pela composição via substituição de Zn em nanointercamadas de Cu₁₋ₓZnₓFe₂O₄₄ melhora significamente as propriedades estruturais e eletrônicas de fotodiodos Schottky MIS Cu/p-Si, resultando em um desempenho otimizado de detecção ultravioleta com alta responsividade, eficiência quântica e detectividade.