Characteristics of GaAs Thin Films Grown by MOVPE Using Triethylgallium (TEGa) and Tertiarybutylarsine (TBAs)
Este estudo demonstra que filmes finos de GaAs homoepitaxiais não dopados de alta qualidade, com superfícies lisas, baixas concentrações de portadores e alta mobilidade, podem ser cultivados com sucesso utilizando precursores de trietilgálio (TEGa) e tercibutiltarsina (TBAs) em temperaturas de crescimento de 600°C e acima, superando significativamente os filmes cultivados em temperaturas mais baixas.