AlGaN/GaN heterojunction field effect transistor structure integrated photoelectrode probe with optical artifact suppression function
Este artigo apresenta uma sonda fotoeletrodo integrada utilizando transistores de efeito de campo de heterojunção AlGaN/GaN com uma arquitetura de registro diferencial para estimular neurônios e adquirir sinais eletrofisiológicos de alta qualidade simultaneamente, enquanto suprime artefatos ópticos em 90%.