High-yield engineering and identification of oxygen-related modified divacancies in 4H-SiC
Os autores demonstram um método controlável de alta eficiência para engenharia e identificação estrutural de quatro configurações de centros de cor modificados por oxigênio em 4H-SiC via implantação de íons de oxigênio, superando limitações anteriores de rendimento e permitindo aplicações escaláveis em tecnologias quânticas de estado sólido.