Device/circuit simulations of silicon spin qubits based on a gate-all-around transistor
Este estudo investiga teoricamente o processo de leitura de qubits de spin baseados em transistores de gate-all-around (GAA) por meio de simulações TCAD e SPICE, demonstrando que um circuito de leitura CMOS convencional com amplificador de sensores pode detectar efetivamente os estados do qubit através do controle dinâmico da tensão aplicada.