Magnetic-field-induced corner states in quantum spin Hall insulators
本文通过对锌闪锌矿半导体量子阱的低能模型进行研究,指出磁场诱导的量子自旋霍尔绝缘体角态本质上是有效边缘理论中的能隙内束缚态,而非由稳定体不变性保护的高阶拓扑角模,且其存在并不受限于镜像分级缠绕数等拓扑不变性的定义范围。
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本文通过对锌闪锌矿半导体量子阱的低能模型进行研究,指出磁场诱导的量子自旋霍尔绝缘体角态本质上是有效边缘理论中的能隙内束缚态,而非由稳定体不变性保护的高阶拓扑角模,且其存在并不受限于镜像分级缠绕数等拓扑不变性的定义范围。
本文通过在Pt/h-LuFeO3双层结构中引入界面拓扑霍尔效应(ITHE),利用磁邻近效应将绝缘磁体中的非共面自旋结构传递至相邻重金属,实现了对绝缘体中具有高稳定性拓扑自旋结构的电学探测。
本文通过变分法和路径积分形式化方法,研究了半导体中激子间的相互作用及双激子问题,推导出了一个能够推广海特勒-伦敦(Heitler-London)势并涵盖范德华力的广义有效相互作用势,并建立了激子稀薄气体的多体理论。
本文展示了一种利用相衬显微术(PCM)对氮化镓(GaN)中具有面内伯格斯矢量分量的位错进行高通量、无损且三维成像的新方法,能够通过焦平面移动实现位错传播路径的可视化,并能有效识别多种半导体缺陷。
通过宽频光谱与直流输运测量,该研究发现 FeTiO 单晶中偶极子运动与电荷传输具有相同的激活能,表明其巨介电行为源于接近金属化状态下的微观体相现象。
本文通过玻尔兹曼输运理论研究了13种n型和p型半赫斯勒合金的电子及热电输运性质,发现电离杂质散射(IIS)与长程极性光学声子(POP)散射对决定其热电功率因子的影响最为显著(平均贡献约65%),并强调了库仑散射过程在理解此类复杂能带结构材料输运特性中的关键作用。
本文提出了一种基于自旋密度泛函理论的自旋极化能量密度方法,通过将总能量分解为实空间中的自旋极化能量密度并进行积分,实现了对磁性系统原子能量的精确分解,并已在 VASP 软件中实现,可用于构建磁性系统的机器学习势函数及分析稀磁半导体等体系。
本文通过在300毫米规模工艺中采用大马士革工艺(Damascene process)来消除超导器件侧壁的天然氧化层,并利用钽(Tantalum)共面波导谐振器实验证明了该方法能有效降低表面损耗并提升器件性能。
本文通过在新鲜蚀刻的钽和硅表面构建自组装有机单分子层进行全表面钝化,有效抑制了氧化层生长并减少了界面双能级系统(TLS)损耗,从而将超导共振器的单光子态内品质因数提升了约140%。