High-temperature operation of III-nitride high-electron-mobility transistors
本文通过研究高温对材料和器件特性的影响,评估缓解热效应的策略,并评估其在各种应用中的稳定性,同时强调仍存在的设计挑战,从而分析了 III 族氮化物高电子迁移率晶体管(HEMTs)的高温运行情况。
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本文通过研究高温对材料和器件特性的影响,评估缓解热效应的策略,并评估其在各种应用中的稳定性,同时强调仍存在的设计挑战,从而分析了 III 族氮化物高电子迁移率晶体管(HEMTs)的高温运行情况。
本研究调查了反铁磁化合物 EuNiAs 的磁输运性质和电子能带结构,揭示了复杂的亚铁磁转变、由空穴主导的多能带电导率,以及在实验数据和从头算计算中均得到充分支持的显著磁场诱导电子结构变化。
本文通过测量频率随振荡幅度的变化,展示了超快双泵浦-探测光谱技术能够直接观测并控制 SnTe 和 SnSe 等热电材料中单拉曼声子模的非谐性,从而将相干贡献与准谐效应区分开来,并为材料工程设计及理解光诱导相变提供新途径。
本文提出了一种针对双层铁磁绝缘体中拓扑磁振子进行电控的通用策略,其中垂直电场通过调节层间势能和海森堡交换作用,与内禀的德亚洛申斯基-莫里亚相互作用进行竞争,从而实现对能带拓扑和非互易动力学的调控。
本研究报告了在层状蜂窝状反铁磁体 VPX3 (X=S, Se, Te) 中发现的鲁棒非互易磁振子,揭示了其对层数、层间耦合以及磁振子相互作用的依赖性,同时展示了对内尔矢量(Néel vector)的非对称周期性响应,为探测二维反铁磁序提供了一种新颖的方法。
本研究利用带有超导尖端的扫描隧道显微术,鉴定了块体 FeSe 中产生符合粒子-空穴对称能隙调制和约瑟夫森电流振荡的次表面磁性散射体,从而证实了配对破坏散射干涉(PBSI)是无预存密度波序超导体中能隙调制的一种可行机制。
本文论证了所提出的场位错力学与相场晶体模型之间的能量耦合在本质上是受限的,因为它无法捕捉位错拓扑结构、以扩散而非弹性方式传递边界条件,且无法防止非自然的位错核心扩展,从而导致其在将位错力学与晶体学相结合方面是无效的。
本文利用非马尔可夫量子主方程证明,在超快实验中观察到的难以捉摸的惯性磁化动力学源于与光学晶格振动的相干磁振子-声子耦合,从而解释了皮秒量级的进动现象,并为太赫兹自旋控制提供了新的途径。
该论文介绍了“vitriflow”,这是一个计算框架,它将熔融-淬火分子动力学的隐式参数转化为显式的、特定材料的决策链,用以为包括二氧化硅、氮化硅和氧化钐在内的多种材料生成具有可重现性和校准性的非晶结构系综。
本研究表明, 薄膜中的轨道-电荷转换受厚度驱动的结构相变支配,其中在约 的临界厚度以下的金属态 相表现出占主导地位的轨道 Rashba–Edelstein 响应,而高于该阈值的半导体态 相则不具备该响应。