Pressure-Stabilized MnSb with Complex Incommensurate Magnetic Order
该研究通过高压合成稳定了亚稳态的白铁矿型 MnSb单晶,并揭示其具有随温度演变的复杂非共线磁序及高达 2 的有序磁矩,确立了其作为探索非常规磁性(包括潜在自旋翻转铁磁性)的理想平台。
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该研究通过高压合成稳定了亚稳态的白铁矿型 MnSb单晶,并揭示其具有随温度演变的复杂非共线磁序及高达 2 的有序磁矩,确立了其作为探索非常规磁性(包括潜在自旋翻转铁磁性)的理想平台。
该研究通过高压实验与理论计算揭示了层状反铁磁半导体 YbMnSb在约 3.5 GPa 下发生结构相变并伴随半导体 - 金属转变,同时压力诱导其形成短程自旋对并演化为长程反铁磁有序,从而稳定了由结构调控和竞争交换相互作用主导的非传统磁态。
本文提出了一种基于双树复小波变换(DTCWT)的通用光谱背景去除方法,该方法克服了传统拟合或滤波技术的局限性,能够更有效地从 X 射线粉末衍射和晶体光致发光等实验数据中提取并增强有效光谱信息,同时保持信号完整性并减少处理偏差。
本文提出了一种名为 PF-PINO 的物理信息神经算子框架,通过将相场控制方程的残差嵌入损失函数来强制物理约束,从而在精度、泛化能力和长期稳定性上显著优于传统傅里叶神经算子,为复杂界面演化问题的高效预测提供了鲁棒的计算工具。
该论文通过建立微观模型与第一性原理计算,揭示了波反铁磁体中非相对论自旋劈裂源于被忽视的位点补偿自旋密度,并提出了基于自旋 - 位点耦合几何特性的普适分类框架以指导新型反铁磁材料的设计。
该论文提出了名为 IDEAL 的逆向设计平台,通过整合生成式扩散模型、机器学习势函数与原子层沉积技术,成功预测并实验验证了 Hf-Zr-O 复杂氧化物薄膜中半导体相关介电材料的最佳组分窗口,从而实现了从理论设计到非平衡态薄膜精准合成的闭环。
该研究开发了一种基于时间相关单光子计数的时间分辨自发拉曼光谱技术,通过利用调制连续波探针实现亚波数光谱分辨率和数百皮秒时间分辨率,成功在轻掺硼硅中解析了瞬态电子 - 声子耦合参数及其与载流子复合的直接关联。
本文针对利用 Smakula-Dexter 公式通过吸收光谱计算 Cr4+:YAG 中 Cr4+ 浓度时因振子强度不确定及光谱解卷积困难而导致的精度问题,提出了一种基于常规光学光谱的新方法。
该论文提出了一种结合克劳修斯 - 克拉佩龙方程与准谐近似的高效通用框架,用于以最小计算量计算低温相界,并通过二氧化硅的相图构建验证了其在 -2 至 12 GPa 压力及 1750 K 温度范围内的准确性,同时实现了密度泛函理论与机器学习势函数的严谨对比。
本文研究了 Cr4+:YAG 透明陶瓷在 5K 至 300K 温度范围内的光谱特性,揭示了其低温吸收与发射光谱中源于最低激发态的 28 cm⁻¹分裂双峰结构,并提出了其起源的可能解释。
该研究利用磁拉曼散射光谱技术,揭示了二维极限下铬氧氯化物(CrOCl)中自旋与晶格自由度的强耦合机制,阐明了其丰富的磁相图随层数变化的演化规律及磁致伸缩效应。
本文介绍了一种名为 MAP-E 的自主电化学加速平台,该平台通过集成机器人液体处理与多通道电位控制,实现了无需人工干预的高通量腐蚀测试,并成功利用不确定性驱动策略自主构建了 304 不锈钢的 pH-氯离子稳定性图,从而加速了材料发现与环境耐久性评估。
该研究利用第一性原理密度泛函理论系统研究了含 3d 和 4d 过渡金属的单分子金属茂,发现其磁各向异性主要取决于 d 轨道的排列而非 d 电子数量,其中 Mo 和 Rh 基 4d 金属茂展现出约 20 K 的最大各向异性,且阳离子态下 Mo 金属茂的各向异性可进一步提升至 60 K,而 3d 金属茂的各向异性则普遍低于 10 K。
该研究利用敏化三重态 - 三重态湮灭上转换原理,结合原位光化学脱氧与镍离子光还原过程,在环境条件下成功实现了铁磁性镍微结构的直写制造,为紧凑型三维架构中的传感与数据存储提供了新途径。
该研究提出了一种基于可逆成环聚合物的最小化合成框架,通过粗粒化分子动力学模拟证实了该动态水凝胶在应力增加时键断裂减少,从而展现出力响应增强和应变率非单调依赖的“抓握键”行为,为设计具有可调耐用性和响应性的机械自适应材料提供了新平台。
该研究利用纳米光谱 X 射线磁圆二色性技术,在-FeO中成功观测到随奈尔矢量取向变化的局域反铁磁响应,揭示了莫林相变下的信号开关效应以及畴壁和室温下反铁磁子(meron)自旋织构中的独特纳米尺度信号特征。
该论文在双带 Stoner 模型框架下,通过同时考虑电子 - 磁子散射与自旋轨道耦合诱导的电子自旋翻转散射,揭示了铁磁金属中超快退磁过程中角动量向晶格转移及磁子产生的非平衡微观机制。
该论文通过理论分析揭示了具有结构手性的金属中,由局域注入电流诱导的自旋极化在体相线性响应和界面二次响应中的不同表现,阐明了二次响应中自旋极化符号与体自旋流预期相反的现象源于二次响应中出现的偶极子状电荷分布,从而成功复现了手性与自旋极化方向之间的实验关联。
该研究利用混合泛函计算系统表征了 GaAs 中的本征缺陷与氧杂质,确认了 As对应实验中的 EL2 中心但非主要电子陷阱,并发现 O-2As复合物才是具有大非辐射电子俘获截面的"OX"中心及有效的载流子复合中心。
该研究通过力化学方法揭示,多网络弹性体的磨损并非源于微裂纹扩展,而是由粗糙接触点引发的亚表面应力活化键断裂所导致的分子损伤持续累积,进而形成降解黏性层并最终造成材料剥落。