From phase transformation to amorphization: damage accumulation in Yb-implanted \b{eta}-Ga2O3
这项研究表明,在 -GaO 中植入 Yb 离子会引发一个多阶段损伤累积过程,该过程涉及在 0.4 dpa 时由应变诱导向 -GaO 的相变,随后是缺陷驱动的重组,并最终在 7 dpa 时发生表面非晶化,从而挑战了该材料此前被认为具有的抗辐射稳健性。
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这项研究表明,在 -GaO 中植入 Yb 离子会引发一个多阶段损伤累积过程,该过程涉及在 0.4 dpa 时由应变诱导向 -GaO 的相变,随后是缺陷驱动的重组,并最终在 7 dpa 时发生表面非晶化,从而挑战了该材料此前被认为具有的抗辐射稳健性。
本研究表明,尽管在 Ho2TiO5 中进行部分 Ho/Ti 替代会产生一个具有拓扑不完整磁网络的空位破坏型自旋冰,但该材料在结构无序的情况下仍保留了局部伊辛各向异性以及趋向于冰规则构型的显著倾向。
本文通过对在相同条件下生长的立方氮化硼与金刚石进行对比研究,揭示了两者在光学性质上的显著相似性,并初步将立方氮化硼中的特定光学中心归因为与此前在金刚石中发现的缺陷类似的缺陷。
本文提出了一种将第一性原理声子计算与弹性连续介质模型相结合的高效计算方法,用于精确确定外尔半金属 TaAs 的全套弹性模量,为传统的基于应变的方法提供了一种可靠的替代方案,同时促进了与实验晶格动力学表征之间的联系。
本文通过原子探针断层扫描技术,综述了相变材料在结晶过程中如何经历从共价键到元价键的独特键合转变,这种转变以高多重事件概率(PME)为特征,解释了其独特的光电特性并为未来的材料设计提供指导。
本文通过证明 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用在中心对称交错磁体中诱导产生弱铁磁性,在非中心对称交错磁体中诱导产生弱亚铁磁性,而在常规反铁磁体中则无效,从而调和了关于 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用的冲突观点。
本研究表明,与传统的半经验势相比,基于密度泛函理论数据训练的机器学习原子间势显著提高了硅与金刚石之间界面热导率预测的准确性,同时也为声子模式贡献和键合特性提供了详细的见解。
通过对氧化镍进行的阿秒分辨率实验结合先进计算,研究人员证明了强关联绝缘体的超快响应是由激光驱动的电子关联猝灭所控制的,这标志着首次直接测量到在几飞秒内发生的哈伯德 库仑相互作用重整化。
本研究表明,(111)取向的超薄SrRuO薄膜在零磁场下表现出由面内自旋磁化驱动并受薄膜三方畸变调制的自发、可控的面内反常霍尔效应。
这项研究表明,通过施加面内磁场,可以定量探测非磁性狄拉克半金属 CdAs 薄膜中的内禀反常霍尔效应,并揭示出一种在超低电子密度样品中尤为显著的独特三倍对称响应。