First results of a Monolithic Active Pixel Sensor with Internal Signal Gain Fully Integrated in a 180 nm CMOS Technology
本文介绍了在 180 纳米 CMOS 工艺中完全集成的 CASSIA 单片有源像素传感器的初步成果,该传感器通过内部电荷倍增技术实现了信号放大,并展示了其在低电压下作为低增益雪崩二极管(LGAD)模式以及在较高电压下作为单光子雪崩二极管(SPAD)模式运行的能力,为未来高能物理实验中的高精度四维追踪应用提供了新的解决方案。