原作者:Ke-Jun Xu, Nathan Giles-Donovan, Stefano Agrestini, Jaewon Choi, Mirian Garcia-Fernandez, Kejin Zhou, Junfeng He, Costel R. Rotundu, Young S. Lee, Thomas P. Devereaux, Zhi-Xun Shen, Dung-Hai Lee, RobeKe-Jun Xu, Nathan Giles-Donovan, Stefano Agrestini, Jaewon Choi, Mirian Garcia-Fernandez, Kejin Zhou, Junfeng He, Costel R. Rotundu, Young S. Lee, Thomas P. Devereaux, Zhi-Xun Shen, Dung-Hai Lee, Robert J. Birgeneau, Wei-Sheng Lee
原作者: Ke-Jun Xu, Nathan Giles-Donovan, Stefano Agrestini, Jaewon Choi, Mirian Garcia-Fernandez, Kejin Zhou, Junfeng He, Costel R. Rotundu, Young S. Lee, Thomas P. Devereaux, Zhi-Xun Shen, Dung-Hai Lee, Robert J. Birgeneau, Wei-Sheng Lee
问题陈述 强关联系统中集体电荷激发的行为,特别是那些处于巡游态与莫特局域化边缘的系统,仍然是一个未解之谜。虽然良金属中的等离激元已被充分理解,但它们在铜氧化物中间掺杂区域(非常规超导性和奇异金属相由此涌现)的命运尚不明确。此前关于电子掺杂铜氧化物的共振非弹性 X 射线散射(RIXS)研究已在最佳掺杂附近识别出声学等离激元,但尚未完全追踪这些模式从莫特绝缘体母化合物到金属区域的演化。具体而言,在发生复杂能隙和费米面重构的轻掺杂区域,电荷激发的性质需要进一步阐明。
方法论 作者研究了原型电子掺杂铜氧化物 Nd2−xCexCuO4(NCCO)在从莫特绝缘体(x=0)到近最佳掺杂(x=0.14)的宽掺杂范围内的特性。该研究利用 Cu L3 边进行了共振非弹性 X 射线散射(RIXS)测量。
实验设置:测量在 20 K 下进行,使用 σ 偏振的入射光子(电场位于 CuO2 平面内)以增强电荷激发信号。