Probing Boron Vacancy Defects in hBN via Single Spin Relaxometry
Diese Studie demonstriert die Nutzung eines einzelnen Stickstoff-Fehlstellenzentrums in Diamant als hochempfindliche Sonde zur indirekten Detektion und nanoskopischen Kartierung von Bor-Leerstellen in hexagonalem Bornitrid durch Messung der Spin-Relaxationszeit, wodurch optische Anregung überflüssig wird und eine Auflösung jenseits der Beugungsgrenze ermöglicht wird.