Valley physics in the two bands model for SiGe heterostructures and spin qubits
Die Studie demonstriert, dass ein effizientes zweibandiges -Modell, das inter-valley Potentiale und Legierungsstörungen berücksichtigt, die Valley-Aufspaltungen und -Orbit-Mischungen in Si/SiGe-Heterostrukturen für Spin-Qubits präzise und kostengünstig beschreibt und dabei atomare Tight-Binding-Berechnungen sowie Elektron-Phonon-Wechselwirkungen validiert.