Theory of x-ray scattering from optically pumped excitons in atomically thin semiconductors
Die Autoren schlagen ein theoretisches Rahmenwerk vor, das mithilfe der inelastischen Röntgenstreuung die interne Ladungsverteilung optisch angeregter Exzitonen in atomar dünnen Halbleitern wie Übergangsmetalldichalkogeniden untersucht, indem sie einen neuen Beitrag zur Streuspektrenanalyse durch Differenzspektren mit und ohne optische Anregung isolieren.