In-situ operation of amorphous circuits under heavy-ion irradiation
Diese Studie demonstriert den robusten In-situ-Betrieb eines amorphen Dünnschicht-Halbleiter-Schaltkreises mit 100 Transistoren unter Schwerionenbestrahlung, wobei erfolgreich eine „Hello World“-Ausgabesequenz bei hohen Teilchenflüssen ausgeführt wurde und damit ein neuer Meilenstein für strahlungsresistente digitale Elektronik in extremen Umgebungen gesetzt wurde.