Spin-Orbit Coupling Effects on the Structural and Electronic Properties of Planar Pentagonal p-MS (M = Si, Ge, and Pb)
Diese Studie nutzt die Dichtefunktionaltheorie, um nachzuweisen, dass die Spin-Bahn-Kopplung die strukturellen und elektronischen Eigenschaften planarer pentagonaler p-MS-Materialien (M = Si, Ge, Pb) erheblich verändert, indem sie die Ge- und Pb-Varianten stabilisiert und in p-PbS einen Übergang vom Metall zum Halbleiter mit einer Bandlücke von 0,475 eV induziert, was somit dessen Potenzial für Gassensor-Anwendungen nahelegt.