Scaling Two-Dimensional Semiconductor Nanoribbons for High-Performance Electronics
Diese Studie zeigt, dass das Skalieren von Monolagen-TMD-Nanoband-Transistoren auf Breiten von etwa 30–40 nm die Bauelementleistung durch Verringerung des Kontaktwiderstands und Verbesserung der Elektrostatische erheblich steigert und hohe Einschaltstromdichten erreicht, was diese Materialien zu vielversprechenden Kandidaten für zukünftige ultra-skalierte Elektronik macht.