Transmission Line Method Characterization of Thermally Evaporated Al/Cr/Au Contacts on AlGaN/GaN-on-Silicon Carbide Heterostructures
Diese Studie zeigt, dass thermisch verdampfte Al/Cr/Au-Kontakte auf AlGaN/GaN-auf-SiC-Heterostrukturen, wenn sie bei 850 °C für 47 Sekunden getempert werden, niederohmige Grenzflächen bilden, die für Hochfrequenz- und Hochleistungs-GaN-Bauteilanwendungen geeignet sind, wie durch Charakterisierung mittels der Transmission-Line-Methode validiert wurde.