Temperature dependence of the long-term annealing behavior of neutron irradiated diodes from 8-inch p-type silicon wafers
Diese Studie untersucht das isotherme Ausheilungsverhalten von neutronenbestrahlten p-Silizium-Dioden für den HGCAL des HL-LHC bei verschiedenen Temperaturen, um die Parameter des Hamburger Modells zu verfeinern und die langfristige Strahlungshärte der Detektoren während technischer Stillstände besser vorhersagen zu können.