Atomistic dynamics of early oxidation of Si upon ultra-short pulsed laser heating
Diese Studie kombiniert reaktive Molekulardynamik-Simulationen mit experimenteller Validierung, um zu zeigen, dass die frühe Oxidation von Silizium unter ultrakurzer gepulster Lasererwärmung durch einen Übergang von vernachlässigbarem Wachstum unterhalb des Schmelzpunkts zu einer schnellen, diffusionsgesteuerten Oxidbildung innerhalb der transienten geschmolzenen Siliziumschicht gesteuert wird.