Self-oriented Seed Formation and Dynamic Annular-Gap Evolution During Sustained Long-length Entirely Detached Crystal Growth in the Vertical Directional Solidification (VDS)
Diese Studie zeigt, dass ein dauerhaftes, vollständig abgelöstes Langkristallwachstum von Sb-basierten Halbleitern in einem vertikalen gerichteten Erstarrungsprozess (VDS) durch die Bildung eines selbstorientierten Keims und die anschließende Entwicklung eines dynamischen Ringspalts erreicht wird, was zu Kristallen mit signifikant verbesserter struktureller Perfektion und reduzierten Versetzungsdichten führt.