Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
Diese Arbeit demonstriert das erfolgreiche Wachstum von hochmobilen, phasenreinen InSe-Dünnschichten auf hexagonalem Bornitrid mittels Van-der-Waals-Epitaxie, wobei durch optimierte Molekularstrahlepitaxie-Bedingungen, die atomar scharfe Grenzflächen und intrinsischen phononlimitierten Transport gewährleisten, eine Spitzen-Feldeffektbeweglichkeit von etwa 4.000 cm²/Vs erreicht wurde.