Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
Diese Arbeit demonstriert das erfolgreiche Wachstum von hochmobilen, phasenreinen InSe-Dünnschichten auf hexagonalem Bornitrid mittels Van-der-Waals-Epitaxie, wobei durch optimierte Molekularstrahlepitaxie-Bedingungen, die atomar scharfe Grenzflächen und intrinsischen phononlimitierten Transport gewährleisten, eine Spitzen-Feldeffektbeweglichkeit von etwa 4.000 cm²/Vs erreicht wurde.
Originalarbeit lizenziert unter CC BY 4.0 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Dies ist eine KI-generierte Erklärung des untenstehenden Papers. Sie wurde nicht von den Autoren verfasst oder gebilligt. Für technische Genauigkeit konsultieren Sie das Originalpaper. Vollständigen Haftungsausschluss lesen
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