Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
Cet article démontre la croissance réussie de films minces d'InSe à haute mobilité et de phase pure sur du nitrure de bore hexagonal via l'épitaxie van der Waals, atteignant une mobilité de champ de pointe d'environ 4 000 cm²/Vs grâce à des conditions d'épitaxie par jets moléculaires optimisées qui garantissent des interfaces atomiquement abruptes et un transport intrinsèque limité par les phonons.
Article original sous licence CC BY 4.0 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Ceci est une explication générée par l'IA de l'article ci-dessous. Elle n'a pas été rédigée ni approuvée par les auteurs. Pour une précision technique, consultez l'article original. Lire la clause de non-responsabilité complète
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