Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
Questo articolo dimostra la crescita riuscita di film sottili di InSe ad alta mobilità e a fase pura su nitruro di boro esagonale tramite epitassia van der Waals, raggiungendo una mobilità di campo di picco di circa 4.000 cm²/Vs attraverso condizioni di epitassia da fasci molecolari ottimizzate che garantiscono interfacce atomicamente nette e un trasporto intrinseco limitato dai fononi.
Articolo originale sotto licenza CC BY 4.0 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Questa è una spiegazione generata dall'IA dell'articolo qui sotto. Non è stata scritta né approvata dagli autori. Per precisione tecnica, consulta l'articolo originale. Leggi il disclaimer completo
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