Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
यह शोध पत्र वैन डेर वाल्स एपिटैक्सी के माध्यम से हेक्सागोनल बोरोन नाइट्राइड पर उच्च-गतिशीलता वाले, चरण-शुद्ध InSe पतले झिल्लियों (थिन फिल्म्स) के सफल विकास को प्रदर्शित करता है, जो अनुकूलित मॉलिक्यूलर बीम एपिटैक्सी स्थितियों के माध्यम से लगभग 4,000 cm²/Vs की शिखर फील्ड-इफेक्ट गतिशीलता प्राप्त करता है जो परमाणु रूप से स्पष्ट इंटरफेस और आंतरिक फोनोन-सीमित परिवहन सुनिश्चित करती है।
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