🔬 physics
Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
本論文は、原子層レベルで急峻な界面と固有のフォノン制限輸送を保証する分子線エピタキシー条件の最適化を通じて、約4,000 cm²/Vsのピーク電界効果移動度を達成した、ファンデルワールスエピタキシーによる六方晶窒化ホウ素上への高移動度かつ相純粋なInSe薄膜の成長成功を実証するものである。
原論文は CC BY 4.0 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/) でライセンスされています。 これは以下の論文のAI生成解説です。著者が執筆または承認したものではありません。技術的な正確性については原論文を参照してください。 免責事項の全文を読む
自分の分野の論文に埋もれていませんか？
研究キーワードに一致する最新の論文のダイジェストを毎日受け取りましょう——技術要約付き、あなたの言語で。