Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
Este artigo demonstra o crescimento bem-sucedido de filmes finos de InSe de alta mobilidade e fase pura sobre nitreto de boro hexagonal via epitaxia de van der Waals, alcançando uma mobilidade de efeito de campo de pico de aproximadamente 4.000 cm²/Vs através de condições otimizadas de epitaxia de feixe molecular que garantem interfaces atomicamente abruptas e transporte intrínseco limitado por fônons.
Artigo original sob licença CC BY 4.0 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Esta é uma explicação gerada por IA do artigo abaixo. Não foi escrita nem endossada pelos autores. Para precisão técnica, consulte o artigo original. Ler aviso legal completo
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