Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
Este artículo demuestra el crecimiento exitoso de películas delgadas de InSe de alta movilidad y fase pura sobre nitruro de boro hexagonal mediante epitaxia de van der Waals, logrando una movilidad de efecto de campo máxima de aproximadamente 4.000 cm²/Vs a través de condiciones optimizadas de epitaxia de haz molecular que aseguran interfaces atómicamente abruptas y un transporte intrínseco limitado por fonones.
Artículo original bajo licencia CC BY 4.0 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Esta es una explicación generada por IA del artículo a continuación. No ha sido escrita ni avalada por los autores. Para mayor precisión técnica, consulte el artículo original. Leer descargo de responsabilidad completo
¿Ahogado en artículos de tu campo?
Recibe resúmenes diarios de los artículos más novedosos que coincidan con tus palabras clave de investigación — con resúmenes técnicos, en tu idioma.