Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
Dit artikel demonstreert de succesvolle groei van hoogmobiele, fasezuivere InSe-dunne films op hexagonaal boornitride via van der Waals-epitaxie, waarbij een piek veldeffectmobiliteit van ongeveer 4.000 cm²/Vs wordt bereikt door geoptimaliseerde moleculaire bundel-epitaxiecondities die atomaire scherpe interfaces en intrinsiek fononbegrensde transport waarborgen.
Oorspronkelijk artikel gelicentieerd onder CC BY 4.0 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Dit is een AI-gegenereerde uitleg van het onderstaande artikel. Het is niet geschreven of goedgekeurd door de auteurs. Raadpleeg het oorspronkelijke artikel voor technische nauwkeurigheid. Lees de volledige disclaimer
Verdrinkt u in papers in uw vakgebied?
Ontvang dagelijkse digests van de nieuwste papers die bij uw onderzoekswoorden passen — met technische samenvattingen, in uw taal.