🔬 physics
Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
本文展示了通过范德华外延技术在六方氮化硼上成功生长出高迁移率、纯相 InSe 薄膜，通过优化的分子束外延条件确保了原子级锐利的界面和本征声子限制传输，从而实现了约 4,000 cm²/Vs 的峰值场效应迁移率。
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