🔬 physics
Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
이 논문은 반데르발스 에피택시를 통해 육방정 질화붕소 위에 고이동도, 상순수 InSe 박막을 성공적으로 성장시켰음을 입증하며, 원자 수준으로 급격한 계면과 고유의 포논 제한 수송을 보장하는 최적화된 분자선 에피택시 조건을 통해 약 4,000 cm²/Vs의 정점 전계 효과 이동도를 달성하였다.
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