🔬 physics
Van der Waals Epitaxial InSe Thin Films for High-Mobility Two-Dimensional Transistors
تُظهر هذه الورقة البحثية النجاح في نمو أغشية رقيقة من السيلينيد الإنديوم (InSe) عالية الحركية ونقية الطور على نيتريد البورون السداسي عبر التنمي البلوري لفان دير فالس، محققةً ذروة حركية تأثير مجالي تبلغ حوالي 4,0٠٠ سم²/فولت.ثانية من خلال ظروف نمو بالترسيب بالحزمة الجزيئية مُحسّنة تضمن واجهات حادة ذرياً ونقلاً داخلياً محدوداً بالفونونات.
البحث الأصلي مرخَّص بموجب CC BY 4.0 (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). هذا شرح مولَّده بالذكاء الاصطناعي للبحث أدناه. لم يكتبه المؤلفون ولم يصادقوا عليه. وللتحقق من الدقة التقنية، يرجى الرجوع إلى البحث الأصلي. اقرأ إخلاء المسؤولية الكامل
غارق في أبحاث مجالك؟
تصلك نشرة يومية بأحدث الأبحاث المطابقة لكلماتك البحثية المفتاحية — مع ملخصات تقنية، بلغتك.