Enhanced Superconducting Nanowire Single Photon Detector Performances using Silicon Capping
Die Studie zeigt, dass eine Silizium-Deckschicht die Oxidation von NbTiN-SNSPDs unterdrückt, die supraleitende Übergangstemperatur erhöht und somit die Herstellung von Detektoren mit dünneren Filmen, höheren kritischen Strömen sowie erweiterter spektraler Empfindlichkeit bis 2050 nm und geringerer Zeitauflösung ermöglicht.